Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS86320

MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS86320

FDMS86320 Hakkında

FDMS86320, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V Drain-Source gerilim kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 10.5A (ambient) veya 22A (case) sürekli drenaj akımı sağlar. 11.7mOhm tipik on-state direnç (RDS On) ve 41nC gate charge ile anahtarlama hızını optimize eder. 8-PQFN (5x6mm) SMD kasa ile kompakt tasarımlara uygundur. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve tüketici uygulamalarında tercih edilir. DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç anahtarlaması uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.5A (Ta), 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2640 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok