Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS86310

MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS86310

FDMS86310 Hakkında

FDMS86310, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltajı ve 17A (Ta) / 50A (Tc) sürekli drenaj akımı ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4.8mΩ @ 17A, 10V RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. 8-PowerTDFN paket tipinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, DC/DC dönüştürücülerde, motor sürücü uygulamalarında ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak yer alır. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenli çalışır ve 2.5W (Ta) / 96W (Tc) maksimum güç tüketimi özellikleri ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta), 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6290 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok