Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS86263P-23507X
FET -150V 53.0 MOHM PQFN56
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS86263P
FDMS86263P-23507X Hakkında
FDMS86263P-23507X, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 53mOhm on-resistance ile tasarlanmıştır. Surface mount 8-PQFN (5x6) paketinde sunulan bu bileşen, 4.4A sürekli akım (Ta) ve 22A akım (Tc) kapasitesine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen FDMS86263P, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devrelerinde ve elektronik cihazlardaki hızlı anahtarlama gerektiren tasarımlarda kullanılmaktadır. 104W güç disipasyon kapasitesi (Tc) ile yüksek akım uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Ta), 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3905 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok