Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS86263P

MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS86263

FDMS86263P Hakkında

FDMS86263P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source voltaj kapasitesi ve 22A (Ta=25°C) sürekli dren akımı ile orta-yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 53mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. 8-pin PowerTDFN pakette sunulur ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. ±25V gate voltaj aralığında güvenli şekilde çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.4A (Ta), 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3905 pF @ 75 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53mOhm @ 4.4A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok