Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS86255ET150

MOSFET N-CH 150V 10A/63A POWER56

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS86255

FDMS86255ET150 Hakkında

FDMS86255ET150, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source voltajı ve 10A sürekli (25°C'de), 63A maksimum (Tc'de) drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 12.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface Mount 8-PowerTDFN (5x6) paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürme uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrol sistemleri ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığında ve 6V-10V gate drive voltajında optimum performans gösterir. 63nC gate charge ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 63A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4480 pF @ 75 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok