Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS86252L

MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS86252L

FDMS86252L Hakkında

FDMS86252L, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 4.4A sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, 56mOhm maksimum on-state direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 8-Pin PowerTDFN paket içinde sunulan MOSFET, endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 10V gate geriliminde aktive edilen bu transistör, 2.5W (Ta) ve 50W (Tc) güç saçma kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1335 pF @ 75 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 4.4A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok