Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS86200DC

MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS86200DC

FDMS86200DC Hakkında

FDMS86200DC, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanıma uygundur. 25°C'de 9.3A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 17mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. 8-PQFN (5x6) yüzey montajlı paketinde sunulur. Güç elektronikleri, motor kontrol devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 42nC gate charge ve 2955pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.3A (Ta), 28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2955 pF @ 75 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 9.3A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok