Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS86200
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS86200
FDMS86200 Hakkında
FDMS86200, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V Drain-Source voltaj derecesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya tasarlanmıştır. 35A (Tc) ve 9.6A (Ta) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 18mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncini sunar. 8-Pin PowerTDFN (5x6mm) yüzey montaj paketinde üretilmiştir. Güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. 46nC Gate Charge ve 2715pF Input Capacitance değerleri hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.6A (Ta), 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2715 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 9.6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok