Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS86183

MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS86183

FDMS86183 Hakkında

FDMS86183, onsemi tarafından üretilen 100V N-Channel MOSFET transistörüdür. 51A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8-PQFN (5x6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 12.8mΩ Rds(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde ve DC-DC konvertörlerde düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, 63W güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Gate charge değeri 14nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun karakteristiklere örnektir. Endüstriyel güç yönetimi, motor kontrol ve açık kaynak güç kaynakları gibi çeşitli uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 51A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1515 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.8mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 90µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok