Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS86181

MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS86181

FDMS86181 Hakkında

FDMS86181, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim desteğine sahip olup, 25°C'de 44A (Ta) veya termal ölçümle 124A (Tc) sürekli dren akımı sağlayabilir. 4.2mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük on-direnç karakteristiğine sahiptir. 8-PowerTDFN (5x6mm) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç uygulamalarında, motor sürücülerinde, DC-DC dönüştürücülerinde ve anahtarlama devreleri için tasarlanmıştır. ±20V gate gerilim seviyesinde, 59nC gate charge ve 4125pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon özellikleri sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 44A (Ta), 124A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4125 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 44A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok