Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS86163P-23507X
FET -100V 22.0 MOHM PQFN56
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS86163P
FDMS86163P-23507X Hakkında
FDMS86163P-23507X, onsemi tarafından üretilen 100V P-Channel MOSFET transistördür. 8-PowerTDFN (5x6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 22mOhm maksimum drain-source direnci ve 7.9A sürekli drenaj akımı özellikleriyle karakterizedir. Cihaz -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Gate charge 59nC ve input kapasitans 4085pF değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Elektronik güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, enerji taban sistemleri ve hız kontrol devrelerinde kullanılır. 104W (Tc) maksimum güç yayılımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.9A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4085 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 7.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok