Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS86150ET100
MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS86150
FDMS86150ET100 Hakkında
FDMS86150ET100, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 16A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 4.85mOhm düşük RDS(on) değeri, 62nC gate charge ve 187W (Tc) güç dissipasyonu ile yüksek verimlilik sağlar. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. PowerTDFN 8-pin paketinde sunulan bu bileşen, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±20V gate-source gerilimi ve 10V drive voltajı ile logic seviyesi kontrole uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 128A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4065 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W (Ta), 187W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.85mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok