Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS86150

MOSFET N CH 100V 16A POWER56

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS86150

FDMS86150 Hakkında

FDMS86150, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 100V drain-source gerilimi ve 16A (Ta) / 60A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 4.85mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±20V maksimum gate-source gerilimi aralığında çalışır ve 4V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Surface mount 8-PowerTDFN pakette sunulan bu transistör, motor kontrol, güç yönetimi, invertör devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4065 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.85mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok