Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS86102LZ
MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS86102
FDMS86102LZ Hakkında
FDMS86102LZ, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile 7A (Ta) / 22A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 25mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sunmaktadır. 8-PQFN (5x6) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ~ 150°C işletme sıcaklığı aralığında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.5V ve 10V gate drive voltajlarında karakterize edilmiş, 2.5V gate-source threshold voltajı ile hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta), 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1305 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok