Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS86101E
MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS86101
FDMS86101E Hakkında
FDMS86101E, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12.4A sürekli drain akımı (Ta @ 25°C) ve 60A (Tc) kapasitesi vardır. 8mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Surface Mount 8-PowerTDFN pakajında sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol, güç dönüştürme devrelerinde ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 104W maksimum güç dağılım kapasitesi (Tc) ile termal yönetimi istenen tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.4A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok