Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS86101

MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS86101

FDMS86101 Hakkında

FDMS86101, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj rating'i ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 8mΩ (10V, 13A koşullarında) on-resistance değeri ile verimli anahtarlama işlemi sağlar. 12.4A sürekli drain akımı (25°C) ve 60A toplamlanmış drain akımı (Tc) kapasitesi bulunmaktadır. Surface mount 8-PQFN (5x6) paketinde sunulan bileşen, şarj kontrolleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 104W güç saçma kapasitesi (Tc) ile ısıl yönetimi etkin uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok