Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS8570S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS8570
FDMS8570S Hakkında
FDMS8570S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 25V drain-source voltaj desteği ile tasarlanmış, maksimum 60A sürekli drenaj akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 2.8mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerTDFN (5x6) SMD paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge karakteristiği 425nC ve 2825pF input capacitance ile hızlı switching işlemleri mümkündür. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 425 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2825 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 24A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok