Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS8560S
35A, 25V, 0.0018OHM, N-CHANNEL,
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS8560S
FDMS8560S Hakkında
FDMS8560S, Rochester Electronics tarafından üretilen 8-PowerTDFN paketinde sunulan N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V Drain to Source voltaj derecesi ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.8mOhm düşük RDS(On) değeri ile ısıl kayıpları minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Motor kontrol, güç dönüştürme devreleri, batarya yönetim sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 68nC gate charge değeri hızlı komütasyon sağlar ve uygulamalarda verimli enerji yönetimi enables.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta), 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4350 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok