Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS8560S

MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS8560S

FDMS8560S Hakkında

FDMS8560S, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltajında 30A (Ta) / 70A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 8-PQFN (5x6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 1.8mOhm (10V, 30A) Rds(On) değeri sayesinde güç uygulamalarında kullanılır. 68nC gate charge ve 4350pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama operasyonlarını destekler. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, power supply denetleme devreleri, DC-DC konvertörleri, motor sürücü uygulamaları ve yüksek akım anahtarlamada kullanılır. ±12V Vgs ile kontrol edilebilen MOSFET, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Ta), 70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4350 pF @ 13 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok