Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS8558SDC
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS8558
FDMS8558SDC Hakkında
FDMS8558SDC, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 25V drain-source voltaj derecesi ile 38A sürekli dren akımını (Ta 25°C'de) ve 90A akımını (Tc'de) yönetebilir. 8-PowerTDFN (5x6) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, düşük 1.5mOhm RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında enerji verimliliği sağlar. Gate charge 81nC (@10V) ile hızlı anahtarlama olanağı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, pil yönetimi, LED sürücüleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A (Ta), 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5118 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 38A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok