Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS8050ET30
MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS8050
FDMS8050ET30 Hakkında
FDMS8050ET30, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajına ve 55A sürekli drain akımına kapaklı olan bu komponent, düşük Rds On değeri (0.65mOhm @ 55A, 10V) sayesinde güç uygulamalarında verimli anahtarlama gerçekleştirir. 8-PowerTDFN (5x6) yüzey montaj paketine sahiptir. Motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Part status 'Not For New Designs' olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Ta), 423A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 285 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 22610 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W (Ta), 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.65mOhm @ 55A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 750µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok