Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS8018
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS8018
FDMS8018 Hakkında
FDMS8018, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 30A sürekli drenaj akımı (Ta), 120A (Tc) kapasitesi ile 30V Vdss'de çalışan bu bileşen, düşük on-dirençli (1.8mOhm @ 30A, 10V) yapısıyla güç dönüştürme uygulamalarında verimli çalışır. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında güvenilir performans sağlar. Gate charge değeri 61nC @ 10V olan FDMS8018, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. ±20V Vgs toleransı ve 3V eşik voltajı ile hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta), 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5235 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok