Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS7672
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS7672
FDMS7672 Hakkında
FDMS7672, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 19A sürekli drain akımı ile çalışabilen bu komponent, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 5mΩ (10V, 19A) RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. Surface Mount 8-PowerTDFN pakette sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunar. Motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüleri ve genel DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2960 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | Power56 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok