Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS7572S

MOSFET N-CH 25V 23A/49A 8PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS7572

FDMS7572S Hakkında

FDMS7572S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source voltaj desteği ile 23A sürekli dren akımı (Ta) ve 49A kapasite (Tc) sağlar. 2.9mΩ maksimum RDS(ON) değeri ile düşük iletim kaybı sunmaktadır. 8-PowerTDFN (5x6mm) yüzey monte paketiyle kompakt tasarımlara uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 45nC gate charge ve 2780pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon gerektiren devreler için tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Ta), 49A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2780 pF @ 13 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 23A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok