Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS7560S

MOSFET N-CH 25V 30A/49A 8PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS7560S

FDMS7560S Hakkında

FDMS7560S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 30A sürekli dren akımı (Ta) kapasitesine sahiptir. 8-PQFN (5x6mm) yüzey monte paketinde sunulan bu komponentin Rds(on) değeri 1.45mOhm'dur (10V, 30A). -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu FET, düşük gate charge (93nC @ 10V) ve düşük input kapasitansı (5945pF @ 13V) özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Motor kontrolü, güç dönüştürme, LED sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Ta), 49A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5945 pF @ 13 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.45mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok