Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS6673BZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS6673BZ
FDMS6673BZ Hakkında
FDMS6673BZ, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. Küçük sinyal uygulamalarında kullanılan bu transistör, 30V drain-source gerilimi ve 15.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 6.8mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Surface Mount teknolojisi ile 8-PowerTDFN paketinde sunulmaktadır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.2A (Ta), 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5915 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 73W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 15.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok