Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS6673BZ
MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS6673
FDMS6673BZ Hakkında
FDMS6673BZ, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ile 15.2A (Ta) veya 28A (Tc) sürekli akım kapasitesine sahiptir. 8-pin PowerTDFN (5x6mm) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (6.8mOhm @ 10V) ile güç elektronikleri uygulamalarında tercih edilir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve elektriksel yük kontrolü gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 73W'a kadar güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.2A (Ta), 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5915 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 73W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 15.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok