Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS5362LF085
N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS5362
FDMS5362LF085 Hakkında
FDMS5362LF085, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power Trench MOSFET'tir. 60V drain-source gerilimi ve 17.6A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 33mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerTDFN (5x6mm) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, güç dönüştürücüler ve LED sürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında 41.7W güç dağıtabilir. Gate charge karakteristiği ve düşük kapasitans değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 878 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 41.7W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 17.6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok