Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS4D4N08C
MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS4D4N08C
FDMS4D4N08C Hakkında
FDMS4D4N08C, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilim (Vdss) ve 123A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 4.3mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerTDFN (5x6) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 125W maksimum güç dağıtım kapasitesine ve geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve inverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 123A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4090 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 44A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6), Power56 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok