Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS4D0N12C
MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS4D0N12C
FDMS4D0N12C Hakkında
FDMS4D0N12C, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 120V drain-source gerilimi ve 18.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle (Ta @25°C) tasarlanmıştır. Maksimum 4mΩ on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerTDFN (5x6) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, güç anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücü devrelerinde ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 82nC gate charge ve 6460pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.5A (Ta), 114A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6460 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.7W (Ta), 106W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 67A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 370A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok