Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS4435
FDMS4435BZ Hakkında
FDMS4435BZ, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ile çalışan bu bileşen, 25°C'de 9A ve Tc'de 18A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerTDFN (5x6) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 20mOhm maksimum on-resistance (10V, 9A şartlarında) ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 47nC ve input capacitance 2050pF'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devreleri gibi alanlarda kullanılır. ±25V gate-source gerilim toleransı ve 3V threshold voltajı ile güvenli işletim imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2050 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok