Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS3662
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS3662
FDMS3662 Hakkında
FDMS3662, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 8.9A sürekli drain akımı kapasitesiyle anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 14.8mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük iletim kayıpları sağlar. 8-PowerTDFN yüzey monte paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Güç MOSFET'ler anahtarlama regülatörleri, motor kontrolü, güç dönüştürme devrelerinde ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.9A (Ta), 39A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4620 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.8mOhm @ 8.9A, 10V |
| Supplier Device Package | Power56 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok