Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS3616S

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS3616S

FDMS3616S Hakkında

FDMS3616S, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliği ile düşük sürücü voltajında çalışır. 25V Drain-Source geriliminde 16A-18A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, 6.6mOhm RDS(on) değeri ile verimli iletim karakteristiğine sahiptir. Gate charge değeri 27nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun tasarlanmıştır. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan FDMS3616S, güç yönetimi, motor kontrolü, power distribution ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 1W maksimum güç yönetimi kapasitesi ile kompakt devre tasarımlarında tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A, 18A
Part Status Active
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1765pF @ 13V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok