Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS2D4N03S

MOSFET N-CH 30V 163A 8PQFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
FDMS2D4N03S

FDMS2D4N03S Hakkında

FDMS2D4N03S, onsemi tarafından üretilen 30V N-Channel MOSFET transistördür. Sürekli 163A drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 1.8mΩ (10V, 28A) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PQFN yüzey montajlı pakette sunulan bu MOSFET, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, 75W maksimum güç tüketimine sahiptir. 88nC gate charge ve 6540pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için elverişlidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 163A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6540 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerSMD, Flat Leads
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 28A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6), Power56
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok