Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS2572

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS2572

FDMS2572 Hakkında

FDMS2572, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 150V Drain-Source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 4.5A sürekli dren akımı kapasitesi ve 47mOhm maksimum RDS(on) direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerWDFN (8-MLP 5x6) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor sürücüleri, güç kaynakları, LED aydınlatması ve anahtarlama devrelerinde uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Ta), 27A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2610 pF @ 75 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package 8-MLP (5x6), Power56
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok