Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS1D5N03

MOSFET N-CH 30V 218A 8PQFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS1D5N

FDMS1D5N03 Hakkında

FDMS1D5N03, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ile 218A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.15mΩ düşük RDS(on) değeri sayesinde enerji kaybını minimize eder. Elektrik araçları, endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC konvertörleri gibi yüksek akım gerektiren sistemlerde tercih edilir. 8-PQFN (5x6mm) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Maximum 83W güç disipasyonu yeteneğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 218A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9690 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok