Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS1D4N03S
MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS1D4N03S
FDMS1D4N03S Hakkında
FDMS1D4N03S, onsemi tarafından üretilen 30V N-Channel MOSFET transistördür. 211A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. Schottky body diyot içeren bu bileşen, düşük on-dirençle (1.09mOhm @ 10V) verimli anahtarlama sağlar. 8-PQFN (5x6mm) yüzey montajlı kasa ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, elektrik beslemesi, motor kontrolü ve güç dönüştürücü devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Gate charge değeri 65nC olup hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 74W güç dağıtabilmesi yüksek akım işlemesinde avantaj sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 211A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Body) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10250 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.09mOhm @ 38A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok