Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS10C4D2N
MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS10C4D2
FDMS10C4D2N Hakkında
FDMS10C4D2N, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-PQFN paket formatında sunulan transistör, 4.2mΩ RDS(on) değeri ile düşük kayıp işletme özellikleri sunar. 65nC gate charge ve 4500pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 125W güç dissipasyonuna dayanır. AC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve enerji dağıtım sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 44A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok