Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS039N08B

MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS039N08B

FDMS039N08B Hakkında

FDMS039N08B, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilim desteğiyle 19.4A sürekli drain akımı (Ta=25°C) veya 100A (Tc=25°C) kapasitesiyle çalışır. 3.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerTDFN paket tipinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında (DC-DC konvertörler, motor sürücüler, anahtarlama devreleri) yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ve 104W maksimum güç dissipasyonu ile endüstriyel ortamlar için uygun hale getirilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19.4A (Ta), 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok