Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS0312S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS0312S
FDMS0312S Hakkında
FDMS0312S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 19A (Ta) / 42A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 4.9mΩ (10V, 18A) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN paketi ile kompakt tasarımlarda yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 42A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2820 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok