Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS0306AS

MOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS0306AS

FDMS0306AS Hakkında

FDMS0306AS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim derecesine sahip bu bileşen, 25°C'de 26A (Ta) veya 49A (Tc) sürekli dren akımı sağlayabilir. 2.4mOhm maksimum RdsOn değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PQFN (5x6) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmuştur. 57nC gate charge ve 3550pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. DC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve anahtarlama güç kaynakları gibi yüksek akım uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Ta), 49A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3550 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 59W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 26A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok