Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS0302S

MOSFET N-CH 30V 29A/49A 8PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS0302S

FDMS0302S Hakkında

FDMS0302S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajı ve 29A (Ta) / 49A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 1.9mOhm maksimum on-state direnci (RDS(on)) ile düşük enerji kaybı sağlar. 8-PowerTDFN (5x6) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 89W güç yayabilir. Gate başlatma voltajı 4.5V/10V, gate charge 109nC @ 10V'dur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Ta), 49A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7350 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 28A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok