Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS015N04B

MOSFET N-CH 40V 31.3A/100A 8PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS015N04B

FDMS015N04B Hakkında

FDMS015N04B, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source voltaj kapasitesi ile 31.3A (Ta) / 100A (Tc) sürekli drenaj akımı sağlar. 1.5mOhm düşük on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışma sunar. 8-PowerTDFN (5x6) yüzey montajlı paketle sunulan bu bileşen; güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığında ±20V gate voltaj ile kontrolü mümkündür. 118nC gate charge ve düşük input capacitance değerleri, hızlı ve kontrollü geçiş zamanları sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31.3A (Ta), 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8725 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok