Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDME910PZT
MOSFET P-CH 20V 8A MICROFET
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-PowerUFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDME910P
FDME910PZT Hakkında
FDME910PZT, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 24mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine ve hızlı anahtarlama özelliklerine sahiptir. MicroFet 1.6x1.6 koruma paketinde sunulan bu komponent, düşük güç uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, batarya koruma sistemlerinde ve analog anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, 2.1W güç tüketimine kadar tasarlanmıştır. Surface mount teknolojisi ile PCB üzerine doğrudan montajı mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2110 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerUFDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok