Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDME910PZT
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-PowerUFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDME910P
FDME910PZT Hakkında
FDME910PZT, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. Surface mount 6-PowerUFDFN paketinde sunulan bu küçük sinyal FET, 20V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 24mΩ maksimum on-direnci (4.5V Vgs, 8A Id'de) ile düşük enerji kaybı sağlar. Gate charge değeri 21nC olup, hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü devrelerinde kullanılır. Düşük giriş kapasitansi (2110pF @ 10V) hızlı kontrolü kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2110 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerUFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok