Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDME905PT

MOSFET P-CH 12V 8A MICROFET

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-PowerUFDFN
Seri / Aile Numarası
FDME905P

FDME905PT Hakkında

FDME905PT, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V Drain-Source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. MicroFet 1.6x1.6 paketinde sunulan bu transistör, düşük 22mOhm RDS(on) değeri sayesinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, pil yönetimi, LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve genel analog/dijital devre anahtarlaması gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. Yüzey montaj teknolojisi ile üretilen FDME905PT, kompakt PCB tasarımları için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2315 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-PowerUFDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 8A, 4.5V
Supplier Device Package MicroFet 1.6x1.6 Thin
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok