Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDME820NZT
MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-PowerUFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDME820N
FDME820NZT Hakkında
FDME820NZT, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 9A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 18mΩ maksimum gate-source direnci (Rds On), 4.5V gate sürücü voltajında ölçülmüştür. MicroFet 1.6x1.6 ince kasa tasarımı ile kompakt PCB yerleşimleri için uygundur. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve düşük input kapasitansi (865pF @ 10V) ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Tüketici elektroniği, mobil cihazlar ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 865 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerUFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok