Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDME430NT

MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET

Paket/Kılıf
6-PowerUFDFN
Seri / Aile Numarası
FDME430NT

FDME430NT Hakkında

FDME430NT, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 6A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 40mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. MicroFet 1.6x1.6 Thin paketinde sunulan bu komponent, motor kontrol, güç anahtarlaması, LED sürücüleri ve DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı ve 700mW güç dağıtma kapasitesi ile yüksek yoğunluk tasarımlarına uyundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-PowerUFDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 6A, 4.5V
Supplier Device Package MicroFet 1.6x1.6 Thin
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok