Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDME410NZT

MOSFET N-CH 20V 7A MICROFET

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-PowerUFDFN
Seri / Aile Numarası
FDME410NZ

FDME410NZT Hakkında

FDME410NZT, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 26mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sunar. Surface mount 6-PowerUFDFN paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrolü, anahtarlama devreler ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve maksimum 2.1W güç tüketebilir. 13nC gate charge ve 1025pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1025 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-PowerUFDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 7A, 4.5V
Supplier Device Package MicroFet 1.6x1.6 Thin
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok