Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMC8884

9A, 30V, 0.019OHM, N-CHANNEL POW

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
FDMC8884

FDMC8884 Hakkında

FDMC8884, Rochester Electronics tarafından üretilen 9A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel power MOSFET'tir. 30V drain-source gerilim derecelendirilmesi ile düşük güç kayıpları için optimize edilmiş 19mOhm (10V, 9A koşullarında) on-resistance değerine sahiptir. 8-PowerWDFN (3.3x3.3mm) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve düşük input kapasitesi (685pF @ 15V) hızlı anahtarlama operasyonlarına olanak tanır. Maximum 2.3W (Ta) / 18W (Tc) güç dağıtımı kapasitesi ile kaynak tüketimi kritik uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 685 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package 8-MLP (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok